Elektrischer Anschluss M12x1 Stecker


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An Lager Auftragsbezogene Disposition
  1. SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologi SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologie (SoS), SW 22, Spannung max. 32 VDC, Stecker: M12x1 - DIN EN 61076-2-101-A, Ausgangssignal: 4 - 20 mA, (2 Leiter), Druckbereich: 0 bis 60 bar, Max. Überdruck: 240 bar, Berstdruck: 480 bar, Membrane: NBR, Gehäuse: Edelstahl 1.4305, Aussengewinde: G 1/4 mit Dichtring, mehr... weniger...
  2. SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologi SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologie (SoS), SW 22, Spannung max. 32 VDC, Stecker: M12x1 - DIN EN 61076-2-101-A, Ausgangssignal: 4 - 20 mA, (2 Leiter), Druckbereich: 0 bis 40 bar, Max. Überdruck: 160 bar, Berstdruck: 320 bar, Membrane: NBR, Gehäuse: Edelstahl 1.4305, Aussengewinde: G 1/4 mit Dichtring, mehr... weniger...
  3. SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologi SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologie (SoS), SW 22, Spannung max. 32 VDC, Stecker: M12x1 - DIN EN 61076-2-101-A, Ausgangssignal: 4 - 20 mA, (2 Leiter), Druckbereich: 0 bis 25 bar, Max. Überdruck: 100 bar, Berstdruck: 160 bar, Membrane: NBR, Gehäuse: Edelstahl 1.4305, Aussengewinde: G 1/4 mit Dichtring, mehr... weniger...
  4. SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologi SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologie (SoS), SW 22, Spannung max. 32 VDC, Stecker: M12x1 - DIN EN 61076-2-101-A, Ausgangssignal: 4 - 20 mA, (2 Leiter), Druckbereich: 0 bis 16 bar, Max. Überdruck: 64 bar, Berstdruck: 128 bar, Membrane: NBR, Gehäuse: Edelstahl 1.4305, Aussengewinde: G 1/4 mit Dichtring, mehr... weniger...
  5. SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologi SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologie (SoS), SW 22, Spannung max. 32 VDC, Stecker: M12x1 - DIN EN 61076-2-101-A, Ausgangssignal: 4 - 20 mA, (2 Leiter), Druckbereich: 0 bis 10 bar, Max. Überdruck: 40 bar, Berstdruck: 80 bar, Membrane: NBR, Gehäuse: Edelstahl 1.4305, Aussengewinde: G 1/4 mit Dichtring, mehr... weniger...
  6. SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologi SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologie (SoS), SW 22, Spannung max. 32 VDC, Stecker: M12x1 - DIN EN 61076-2-101-A, Ausgangssignal: 4 - 20 mA, (2 Leiter), Druckbereich: 0 bis 600 bar, Max. Überdruck: 1650 bar, Berstdruck: 2000 bar, Membrane: NBR, Gehäuse: Edelstahl 1.4305, Aussengewinde: G 1/4 mit Dichtring, mehr... weniger...
  7. SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologi SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologie (SoS), SW 22, Spannung max. 32 VDC, Stecker: M12x1 - DIN EN 61076-2-101-A, Ausgangssignal: 4 - 20 mA, (2 Leiter), Druckbereich: 0 bis 250 bar, Max. Überdruck: 1000 bar, Berstdruck: 2000 bar, Membrane: NBR, Gehäuse: Edelstahl 1.4305, Aussengewinde: G 1/4 mit Dichtring, mehr... weniger...
  8. SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologi SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologie (SoS), SW 22, Spannung max. 32 VDC, Stecker: M12x1 - DIN EN 61076-2-101-A, Ausgangssignal: 4 - 20 mA, (2 Leiter), Druckbereich: 0 bis 100 bar, Max. Überdruck: 400 bar, Berstdruck: 800 bar, Membrane: NBR, Gehäuse: Edelstahl 1.4305, Aussengewinde: G 1/4 mit Dichtring, mehr... weniger...
  9. SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologi SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologie (SoS), SW 22, Spannung max. 32 VDC, Stecker: M12x1 - DIN EN 61076-2-101-A, Ausgangssignal: 4 - 20 mA, (2 Leiter), Druckbereich: 0 bis 400 bar, Max. Überdruck: 1600 bar, Berstdruck: 2000 bar, Membrane: NBR, Gehäuse: Edelstahl 1.4305, Aussengewinde: G 1/4 mit Dichtring, mehr... weniger...
  10. SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologi SUCO-Drucktransmitter High-Performance, Silicon-on-Sapphire Technologie (SoS), SW 22, Spannung max. 32 VDC, Stecker: M12x1 - DIN EN 61076-2-101-A, Ausgangssignal: 4 - 20 mA, (2 Leiter), Druckbereich: 0 bis 160 bar, Max. Überdruck: 640 bar, Berstdruck: 1280 bar, Membrane: NBR, Gehäuse: Edelstahl 1.4305, Aussengewinde: G 1/4 mit Dichtring, mehr... weniger...